CMOS-რეზონატორები კვარცულს შეცვლის?

კომპანიამ Integrated Device Technology (IDT) წარმოადგინა რეზონატორი, რომელიც მთლიანად CMOS-ტექნოლოგიითაა დამზადებული, და ამასთან, მისი თქმით, შეესაბამება მუშაობის სიზუსტისადმი მოთხოვნილებებს. ციფრული სიგნალების დისკრეტული ბუნება პრაქტიკულად ნებისმიერ ციფრულ მოწყობილობაში ზეზუსტი ტაქტური გენერატორების გამოყენებას ითხოვს, ხოლო მსგავს სქემებში სიხშირის წყაროს ეტალონად აქამდე კვარცული რეზონატორები გამოიყენებოდა. თუმცა, მათ მთელი რიგი უარყოფითი მხარეები გააჩნიათ, მაგალითად, შედარებით დიდი ზომები და ჩიპების შიდა კონსტრუქციაში ჩაშენების სირთულეები. ზოგიერთი ამ წინააღმდეგობის გადალახვა შესაძლებელი იყო MEMS-რეზონატორების გამოყენებით, მაგრამ მათაც აქვთ საკუთარი თავისებურებები, როგორიცაა მაგალითად მექანიკურ ზემოქმედებაზე მომატებული მგრძნობელობა.

რეზონატორების სიზუსტე ჩვეულებრივ ნომინალური სიხშირის მემილიონედ ნაწილებში ითვლება (parts per million, ppm). «ჩვენ გამოვუშვით 100 ppm CMOS-რეზონატორი, რაც კრისტალური რეზონატორებისადმი კონკურენტუნარიანს გვხდის» – აღნიშნა მაიკლ მაკკორკვოდეილმა (Michael McCorquodale), კომპანიის Mobius Microsystems დამფუძნებელმა, რომელმაც CMOS-რეზონატორების ტექნოლოგია გამოიგონა, რომელიც მომავალში IDT-მ შეიძინა. ახალ კომპანიაში მან მიმართულების Silicon Frequency Control (SFC) მთავარი მმართველის თანამდებობა დაიკავა. «მხოლოდ უკანასკნელი კვარტალის განმავლობაში ჩვენ 3,2 მლნ მოწყობილობა გადავტვირთეთ» – ამბობს იგი.

CMOS-რეზონატორი (ზევიდან), მიერთებული ASIC-ჩიპთან

IDT გვპირდება, რომ 2011 წლისთვის 50 ppm სიზუსტის CMOS-რეზონატორებს გამოუშვებს, მაგრამ მიმდინარე 100 ppm მოდელისადმიც IDT3C02 შესამჩნევია ინტერესი OEM-მწარმოებელთა შორის. სიახლემ გადაწყვეტების ფართო სპექტრში უკვე შეცვალა კვარცული კრისტალები. IDT ამტიკიცებს, რომ მისმა CMOS-რეზონატორებმა გამოყენება ჰპოვეს სქემებში Gigabit Ethernet, Display Port, PCI-Express, SIM-კარტებში, სმართკარტებში და ა.შ. მოწყობილობის მიმდინარე ვერსიის ზომებია 5 х 3,2 х 0,9 მმ, ხოლო მომდევნოს – 50 ppm სიზუსტით შემცირებას IDT, 2,5 х 2 х 0,9 მმ-მდე გეგმავს. მწარმოებელი შემკვეთებს რეზონატორებს უშუალოდ დაუჭრელი დგარებით აწვდის, მათ კი მისი ჩართვა საკუთარი ჩიპების შემადგენლობაში დგარების სტეკირების დახმარებით შეუძლიათ, ან საერთო კონსტრუქციებში გვერდი-გვერდ ჩარჩოებში განლაგებით.

IDT აღნიშნავს, რომ CMOS-რეზონატორებს მთელი რიგი უპირატესობები გააჩნია იგივე ფუნქციების მქონე მოწყობილობათა სხვა ტიპებთან შედარებით, ნაკლები ღირებულების, ნაკლები რაოდენობით ელექტროენერგიის მოხმარების და მკვებავი ძაბვის ფართო დიაპაზონში (1,8-დან 3,3 В-მდე) მუშაობის შესაძლებლობის ჩათვლით. კომპანიას უკვე აქვს 35 უკვე მიღებული და გაფორმებადი პატენტი სხვადასხვა ტექნოლოგიასა და გადაწყვეტაზე, რომლებიც ახალი ტიპის რეზონატორებს განეკუთვნება.